自主创新的开关电源芯片TB1211--银联宝
2018年05月25日 点击:
编辑: elanpo668
由于这些移动设备对于耗电有着更严苛的要求,应用更为复杂,相关市场对多种电源管理芯片的需求不断增加,进一步推动未来电源管理芯片技术和市场的发展。整体而言,电源管理芯片已朝向多相式与大电流等设计方向发展,以满足新一代移动设备对小尺寸、低耗电和高转换效率等要求。银联宝自主创新符合新时代要求的开关电源芯片—TB1211。
TB1211是一款高性能低成本的PWM控制功率器,适用于离线是小功率降压型应用场合,外围电路简单,器件个数少,同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。
TB1211集成有完备的带自恢复功能的保护功能;VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护和VDD过压保护等。
TB1211封装是SOP-8,VDD是芯片供电管脚,同时作为输出电压反馈端(FB悬空时),典型用VDD电容推荐采用1uF陶瓷电容。GND是是芯片的参考地。FB反馈输入管脚,该引脚悬空时默认12V输出。CS是峰值电流检测管脚。Drain是内部高压MOSFET漏极。
Elanpo银联宝科技是您开关电源芯片的平台, Elanpo银联宝科技二十年专注于各类芯片开发设计,低功耗高效率的开关电源方案获得广大客户认可,并成功的在市场投入使用,银联宝本着低价格、高效率,低功率,高效应的宗旨,向市场推送更完美的电源芯片,同时,我们将为您提供高效、方便、理想的服务,elanpo银联宝团队将为您提供合理的建议。详情了解关于elanpo银联宝科技开关电源芯片或需设计开关电源方案请搜索银联宝科技咨询了解更多。
TB1211是一款高性能低成本的PWM控制功率器,适用于离线是小功率降压型应用场合,外围电路简单,器件个数少,同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。
TB1211集成有完备的带自恢复功能的保护功能;VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护和VDD过压保护等。
TB1211封装是SOP-8,VDD是芯片供电管脚,同时作为输出电压反馈端(FB悬空时),典型用VDD电容推荐采用1uF陶瓷电容。GND是是芯片的参考地。FB反馈输入管脚,该引脚悬空时默认12V输出。CS是峰值电流检测管脚。Drain是内部高压MOSFET漏极。
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