MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。
MOS管其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015ω）。它也分n沟道管和p沟道管。通常是将衬底（基板）与源极s接在一起。根据导电方式的不同，mosfet又分增强型、耗尽型。
所谓增强型是指：当vgs=0时管子是呈截止状态，加上正确的vgs后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当vgs=0时即形成沟道，加上正确的vgs时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
MOS管AP8205作用在于：
1、输入阻抗高，速度可达百兆以上；
2、工作频率范围宽，开关速度高（开关时间为几十纳秒到几百纳秒），开关损耗小；
3、功率mosfet可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流；
4、Mosfet是电压控制型器件，因此在驱动大电流时无需推动级，其电路较简单；
5、有较优良的线性区，并且mosfet的输入比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高，噪声也小，最适合制作Hi-Fi音响。
MOS管AP8205相关参数：
1.漏源电压Vds 20 V.
2.漏极电流-连续lD（Ta = 25°C）6 A.
3.漏极电流-连续lD（fa = 70oC）4.8 A
4.SOT23-6塑封封装N沟敲MOS管


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